IRGP30B120KD-EP vs IRGP35B60PD-EP

Cette comparaison détaillée des composants IRGP30B120KD-EP et IRGP35B60PD-EP vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRGP30B120KD-EP

Technologie Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 4491 PCS
Package: TO-247-3
Series: Transistor - IGBT - simple

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Part B

IRGP35B60PD-EP

Technologie Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 2708 PCS
Package: TO-247-3
Series: Transistor - IGBT - simple

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Full specification comparison

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Specification	IRGP30B120KD-EP	IRGP35B60PD-EP
Supplier	-	Infineon Technologies
Part Status	Obsolete	Obsolete
IGBT Type	NPT	NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	1200 V	600 V
Current - Collector(Ic)(Max)	60 A	60 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	120 A	120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	4V @ 15V, 60A	2.55V @ 15V, 35A
Power - Max	300 W	308 W
Switching Energy	1.07mJ (on), 1.49mJ (off)	220µJ (on), 215µJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	169 nC	160 nC
Td(on / off) @ 25°C	-	26ns/110ns
Test Condition	600V, 25A, 5Ohm, 15V	390V, 22A, 3.3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	300 ns	42 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

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