IRG4PH50UDPBF vs IRG4PH40UD-EPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRG4PH50UDPBF et IRG4PH40UD-EPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRG4PH50UDPBF IRG4PH40UD-EPBF
Supplier - Infineon Technologies
Part Status Obsolete Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 1200 V 1200 V
Current - Collector(Ic)(Max) 45 A 41 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 180 A 82 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 3.7V @ 15V, 24A 3.1V @ 15V, 21A
Power - Max 200 W 160 W
Switching Energy 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) 1.8mJ (on), 1.93mJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 160 nC 86 nC
Td(on / off) @ 25°C 47ns/110ns 46ns/97ns
Test Condition 800V, 24A, 5Ohm, 15V 800V, 21A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 90 ns 63 ns
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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