IRG4PC50UDPBF
Technologie Infineon
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 5166 PCS
- Package
- TO-247-3
- Series
- Transistor - IGBT - simple
Cette comparaison détaillée des composants IRG4PC50UDPBF et IRG4PC30KD vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.
Technologie Infineon
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| Specification | IRG4PC50UDPBF | IRG4PC30KD |
|---|---|---|
| Supplier | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Status | Obsolete | Obsolete |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) | 600 V | 600 V |
| Current - Collector(Ic)(Max) | 55 A | 28 A |
| Current - Collector Pulsed(Icm) | 220 A | 58 A |
| Vce(on)(Max) @ Vge Ic | 2V @ 15V, 27A | 2.7V @ 15V, 16A |
| Power - Max | 200 W | 100 W |
| Switching Energy | 990µJ (on), 590µJ (off) | 600µJ (on), 580µJ (off) |
| Input Type | Standard | Standard |
| Gate Charge | 180 nC | 67 nC |
| Td(on / off) @ 25°C | 46ns/140ns | 60ns/160ns |
| Test Condition | 480V, 27A, 5Ohm, 15V | 480V, 16A, 23Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns | 42 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Through Hole |