IRFS4615TRLPBF vs IRFS4229TRLPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRFS4615TRLPBF et IRFS4229TRLPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRFS4615TRLPBF IRFS4229TRLPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V 250 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 33A (Tc) 45A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 42mOhm @ 21A, 10V 48mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 100µA 5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1750 pF @ 50 V 4560 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 144W (Tc) 330W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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