IRFP460PBF vs IRFP4668PBF

Cette comparaison détaillée des composants IRFP460PBF et IRFP4668PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRFP460PBF IRFP4668PBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Last Time Buy Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V 200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 20A (Tc) 130A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 270mOhm @ 12A, 10V 9.7mOhm @ 81A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V 241 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4200 pF @ 25 V 10720 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 280W (Tc) 520W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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