IRFP260NPBF vs IRFP250PBF

Cette comparaison détaillée des composants IRFP250PBF et IRFP260NPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRFP250PBF

+Nomenclature

1442 PCS | Siliconix
IRFP260NPBF

+Nomenclature

4174 PCS | Technologie Infineon
Package TO-247-3 TO-247
Description MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3 MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 200 V 200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 30A (Tc) 50A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 85mOhm @ 18A, 10V 40mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 140 nC @ 10 V 234 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 2800 pF @ 25 V 4057 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 190W (Tc) 300W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Series - HEXFET®
Modèle de comparaison : IRFP250PBF IRFP260NPBF

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