IRFP250MPBF vs IRFP27N60KPBF Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants IRFP27N60KPBF et IRFP250MPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRFP27N60KPBF

+Nomenclature

7102 PCS | Siliconix
IRFP250MPBF

+Nomenclature

5331 PCS | Technologie Infineon
Package TO-247-3 TO-247
Description MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3 MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V 200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 27A (Tc) 30A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 220mOhm @ 16A, 10V 75mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 123 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4660 pF @ 25 V 2159 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 500W (Tc) 214W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Series - HEXFET®
Modèle de comparaison : IRFP27N60KPBF IRFP250MPBF

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