IRFB4310ZPBF vs IRFB4321PBF Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants IRFB4321PBF et IRFB4310ZPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRFB4321PBF

+Nomenclature

2871 PCS | Redresseur international
IRFB4310ZPBF

+Nomenclature

4141 PCS | Redresseur international
Package TO-220-3 TO-220-3
Description IRFB4321 - 12V-300V N-CHANNEL PO IRFB4310 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 85A (Tc) 120A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 15mOhm @ 33A, 10V 6mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 150µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4460 pF @ 50 V 6860 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 350W (Tc) 250W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Modèle de comparaison : IRFB4321PBF IRFB4310ZPBF

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