IRFB4310ZPBF vs IRFB4115PBF

Cette comparaison détaillée des composants IRFB4115PBF et IRFB4310ZPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRFB4115PBF

+Nomenclature

3757 PCS | Technologie Infineon
IRFB4310ZPBF

+Nomenclature

4141 PCS | Redresseur international
Package TO-220 TO-220-3
Description MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB IRFB4310 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 150 V 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 104A (Tc) 120A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 11mOhm @ 62A, 10V 6mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5V @ 250µA 4V @ 150µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 120 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 5270 pF @ 50 V 6860 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) 380W (Tc) 250W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Modèle de comparaison : IRFB4115PBF IRFB4310ZPBF

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