IRF9640PBF vs IRF9630PBF
Cette comparaison détaillée des composants IRF9630PBF et IRF9640PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
TO-220AB-3
TO-220-3
Description
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
ProductStatus
Active
Active
FETType
P-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
200 V
200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
6.5A (Tc)
11A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
800mOhm @ 3.9A, 10V
500mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
29 nC @ 10 V
44 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
700 pF @ 25 V
1200 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
74W (Tc)
125W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Through Hole
