IRF9530NSTRLPBF vs IRF9540NSTRLPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRF9540NSTRLPBF et IRF9530NSTRLPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRF9540NSTRLPBF

+Nomenclature

3445 PCS | Technologie Infineon
IRF9530NSTRLPBF

+Nomenclature

5963 PCS | Technologie Infineon
Package TO-263-3 TO-263-3
Description MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Active
FETType P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 23A (Tc) 14A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 117mOhm @ 14A, 10V 200mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 110 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1450 pF @ 25 V 760 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 3.1W (Ta), 110W (Tc) 3.8W (Ta), 79W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IRF9540NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF

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