IRF7478TRPBF vs IRF7493TRPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRF7478TRPBF et IRF7493TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRF7478TRPBF IRF7493TRPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Obsolete Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 80 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 7A (Ta) 9.3A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 26mOhm @ 4.2A, 10V 15mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 31 nC @ 4.5 V 53 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1740 pF @ 25 V 1510 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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