IRF7416TRPBF vs IRF7410TRPBF
Cette comparaison détaillée des composants IRF7416TRPBF et IRF7410TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SOIC-8
SOIC-8
Description
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
P-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30 V
12 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
10A (Ta)
16A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
1.8V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs
20mOhm @ 5.6A, 10V
7mOhm @ 16A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
1V @ 250µA
900mV @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
92 nC @ 10 V
91 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±20V
±8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1700 pF @ 25 V
8676 pF @ 10 V
PowerDissipation(Max)
2.5W (Ta)
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
