IRF7416TRPBF vs IRF7410TRPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRF7416TRPBF et IRF7410TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRF7416TRPBF IRF7410TRPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 12 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 10A (Ta) 16A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs 20mOhm @ 5.6A, 10V 7mOhm @ 16A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA 900mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V 91 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V ±8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V 8676 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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