IRF7389TRPBF vs IRF7341GTRPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRF7389TRPBF et IRF7341GTRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRF7389TRPBF IRF7341GTRPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 55V
Rds On(Max) @ Id Vgs 29mOhm @ 5.8A, 10V 50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA (Min)
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 33nC @ 10V 44nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 650pF @ 25V 780pF @ 25V
Power - Max 2.5W 2.4W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 5.1A
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