IRF7105TRPBF vs IRF7103Q

Cette comparaison détaillée des composants IRF7105TRPBF et IRF7103Q vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRF7105TRPBF

+Nomenclature

2140 PCS | Technologie Infineon
IRF7103Q

+Nomenclature

9666 PCS | Technologie Infineon
Package SOP-8 SOIC-8
Description MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Obsolete
FETType N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Standard Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 25V 50V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.5A, 2.3A 3A
RdsOn(Max)@IdVgs 100mOhm @ 1A, 10V 130mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 27nC @ 10V 15nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 330pF @ 15V 255pF @ 25V
Power-Max 2W 2.4W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IRF7105TRPBF IRF7103Q

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