IRF530PBF vs IRF530

Cette comparaison détaillée des composants IRF530 et IRF530PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRF530

+Nomenclature

1420 PCS | Semi - conducteurs optiques
IRF530PBF

+Nomenclature

6309 PCS | Siliconix
Package TO-220-3 TO-220-3
Description MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Series STripFET™ II -
ProductStatus Obsolete Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 14A (Tc) 14A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 160mOhm @ 7A, 10V 160mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 21 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 458 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 60W (Tc) 88W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Modèle de comparaison : IRF530 IRF530PBF

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