IRF1405PBF vs IRF1407PBF
Cette comparaison détaillée des composants IRF1407PBF et IRF1405PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
TO-220-3
TO220
Description
MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
MOSFET N-CH 55V 169A TO220AB
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Not For New Designs
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
75 V
55 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
130A (Tc)
169A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
7.8mOhm @ 78A, 10V
5.3mOhm @ 101A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
250 nC @ 10 V
260 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
5600 pF @ 25 V
5480 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
330W (Tc)
330W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Through Hole
