IRF1404ZPBF vs IRF1404PBF

Cette comparaison détaillée des composants IRF1404ZPBF et IRF1404PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRF1404ZPBF IRF1404PBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V 40 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 180A (Tc) 202A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 3.7mOhm @ 75A, 10V 4mOhm @ 121A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V 196 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4340 pF @ 25 V 5669 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 200W (Tc) 333W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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