IR2183STRPBF vs IR2181S

Cette comparaison détaillée des composants IR2181S et IR2183STRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IR2181S

+Nomenclature

1699 PCS | Technologie Infineon
IR2183STRPBF

+Nomenclature

6670 PCS | Technologie Infineon
Package SOIC-8 SOIC-8
Description IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
ProductStatus Obsolete Active
DrivenConfiguration Half-Bridge Half-Bridge
ChannelType Independent Independent
NumberofDrivers 2 2
GateType IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2.7V 0.8V, 2.7V
Current-PeakOutput(SourceSink) 1.9A, 2.3A 1.9A, 2.3A
InputType Non-Inverting Inverting, Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise/FallTime(Typ) 40ns, 20ns 40ns, 20ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IR2181S IR2183STRPBF

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