IR2130S vs IR2135STR Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants IR2130S et IR2135STR vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IR2130S

+Nomenclature

1260 PCS | Technologie Infineon
IR2135STR

+Nomenclature

3009 PCS | Technologie Infineon
Package SOIC-28 SOIC-28
Description IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Part Status Obsolete Obsolete
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type 3-Phase 3-Phase
Number of Drivers 6 6
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.2V 0.8V, 2.2V
Current - Peak Output(Source Sink) 250mA, 500mA 250mA, 500mA
Input Type Inverting Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 80ns, 35ns 90ns, 40ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) 125°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IR2130S IR2135STR

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