IR21271 vs IR2125

Cette comparaison détaillée des composants IR21271 et IR2125 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IR21271

+Nomenclature

4271 PCS | Technologie Infineon
IR2125

+Nomenclature

2547 PCS | Technologie Infineon
Package 8-DIP 8-DIP
Description IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
ProductStatus Obsolete Obsolete
DrivenConfiguration High-Side or Low-Side High-Side
ChannelType Single Single
NumberofDrivers 1 1
GateType IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 9V ~ 20V 0V ~ 18V
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 3V 0.8V, 2.2V
Current-PeakOutput(SourceSink) 250mA, 500mA 1.6A, 3.3A
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V 500 V
Rise/FallTime(Typ) 80ns, 40ns 43ns, 26ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Modèle de comparaison : IR21271 IR2125

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