IR2110S vs IR2111S

Cette comparaison détaillée des composants IR2110S et IR2111S vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IR2110S IR2111S
Part Status Obsolete Obsolete
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Synchronous
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, MOSFET (N-Channel) IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 3.3V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH - 8.3V, 12.6V
Current - Peak Output(Source Sink) - 250mA, 500mA
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) - 600 V
Rise / Fall Time(Typ) - 80ns, 40ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number IR2110 -
Digi Key Programmable Not Verified -
Logic Voltage - VIL, VIH 6V, 9.5V -
Current - Peak Output (Source, Sink) 2A, 2A -
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 500 V -
Rise / Fall Time (Typ) 25ns, 17ns -
Packaging Tube -
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