IR2110 vs IR2110-2PBF Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants IR2110 et IR2110-2PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IR2110

+Nomenclature

7686 PCS | Technologie Infineon
IR2110-2PBF

+Nomenclature

7572 PCS | Technologie Infineon
Package DIP-14 DIP-16
Description IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16DIP
Part Status Obsolete Obsolete
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 3.3V ~ 20V 3.3V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V
Current - Peak Output(Source Sink) 2A, 2A 2A, 2A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 500 V 500 V
Rise / Fall Time(Typ) 25ns, 17ns 25ns, 17ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Modèle de comparaison : IR2110 IR2110-2PBF

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