IR2109STRPBF vs IR2101S

Cette comparaison détaillée des composants IR2101S et IR2109STRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IR2101S

+Nomenclature

7072 PCS | Technologie Infineon
IR2109STRPBF

+Nomenclature

3031 PCS | Redresseur international
Package SOIC-8
Description IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IR2109S - GATE DRIVER
Part Status Obsolete -
Base Product Number IR2101 -
DigiKey Programmable Not Verified -
Driven Configuration Half-Bridge -
Channel Type Independent -
Number of Drivers 2 -
Gate Type IGBT, MOSFET (N-Channel) -
Voltage - Supply 10V ~ 20V -
Logic Voltage - VIL, VIH 0.8V, 3V -
Current - Peak Output (Source, Sink) 210mA, 360mA -
Input Type Non-Inverting -
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600 V -
Rise / Fall Time (Typ) 100ns, 50ns -
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Packaging Tube -
ProductStatus - Active
DrivenConfiguration - Half-Bridge
ChannelType - Synchronous
NumberofDrivers - 2
GateType - IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply - 10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH - 0.8V, 2.9V
Current-PeakOutput(SourceSink) - 200mA, 350mA
InputType - Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) - 600 V
Rise/FallTime(Typ) - 150ns, 50ns
OperatingTemperature - -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
Modèle de comparaison : IR2101S IR2109STRPBF

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