IR2104PBF vs IR2109PBF

Cette comparaison détaillée des composants IR2109PBF et IR2104PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IR2109PBF

+Nomenclature

2581 PCS | Technologie Infineon
IR2104PBF

+Nomenclature

1701 PCS | Technologie Infineon
Package PDIP8 PDIP8
Description IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
ProductStatus Not For New Designs Not For New Designs
DrivenConfiguration Half-Bridge Half-Bridge
ChannelType Synchronous Synchronous
NumberofDrivers 2 2
GateType IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2.9V 0.8V, 3V
Current-PeakOutput(SourceSink) 200mA, 350mA 210mA, 360mA
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise/FallTime(Typ) 150ns, 50ns 100ns, 50ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Modèle de comparaison : IR2109PBF IR2104PBF

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