G5S12002C vs G5S12005A

Cette comparaison détaillée des composants G5S12002C et G5S12005A vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification G5S12002C G5S12005A
Supplier Global Power Technology Co. Ltd Global Power Technology Co. Ltd
Part Status Active Active
Diode Type Silicon Carbide Schottky Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200 V 1200 V
Current - Average Rectified(Io) 8.8A (DC) 20.5A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 2 A 1.7 V @ 5 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns 0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 50 µA @ 1200 V 50 µA @ 1200 V
Capacitance @ Vr F 170pF @ 0V, 1MHz 424pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type Surface Mount Through Hole
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