FGH60N60SFDTU vs FGH60N60SMD

Cette comparaison détaillée des composants FGH60N60SFDTU et FGH60N60SMD vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification FGH60N60SFDTU FGH60N60SMD
Part Status Active Active
IGBT Type Field Stop Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 600 V 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 120 A 120 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 180 A 180 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.9V @ 15V, 60A 2.5V @ 15V, 60A
Power - Max 378 W 600 W
Switching Energy 1.79mJ (on), 670µJ (off) 1.26mJ (on), 450µJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 198 nC 189 nC
Td(on / off) @ 25°C 22ns/134ns 18ns/104ns
Test Condition 400V, 60A, 5Ohm, 15V 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 47 ns 39 ns
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole