FGH40T120SMD vs FGH40T65UPD Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants FGH40T120SMD et FGH40T65UPD vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
FGH40T120SMD

+Nomenclature

2036 PCS | Fairchild Semiconductor Inc
FGH40T65UPD

+Nomenclature

7600 PCS | Semi - conducteurs
Package TO-247 TO-247-3
Description INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3
Supplier - Rochester Electronics, LLC,onsemi
Part Status Active Obsolete
IGBT Type Trench Field Stop Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 1200 V 650 V
Current - Collector(Ic)(Max) 80 A 80 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 160 A 120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.4V @ 15V, 40A 2.3V @ 15V, 40A
Power - Max 555 W 268 W
Switching Energy 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) 1.59mJ (on), 580µJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 370 nC 177 nC
Td(on / off) @ 25°C 40ns/475ns 20ns/144ns
Test Condition 600V, 40A, 10Ohm, 15V 400V, 40A, 7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 65 ns 43 ns
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Modèle de comparaison : FGH40T120SMD FGH40T65UPD

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