FGH40T120SMD vs FGH40N6S2 Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants FGH40T120SMD et FGH40N6S2 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
FGH40T120SMD

+Nomenclature

2036 PCS | Fairchild Semiconductor Inc
FGH40N6S2

+Nomenclature

6780 PCS | Semi - conducteurs
Package TO-247 TO-247-3
Description INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO IGBT 600V 75A 290W TO247
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 1200 V 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 80 A 75 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 160 A 180 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.4V @ 15V, 40A 2.7V @ 15V, 20A
Power - Max 555 W 290 W
Switching Energy 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) 115µJ (on), 195µJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 370 nC 35 nC
Td(on / off) @ 25°C 40ns/475ns 8ns/35ns
Test Condition 600V, 40A, 10Ohm, 15V 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
IGBT Type Trench Field Stop -
Reverse Recovery Time (trr) 65 ns -
Modèle de comparaison : FGH40T120SMD FGH40N6S2

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