FGH40N60SMD vs FGH40N6S2

Cette comparaison détaillée des composants FGH40N60SMD et FGH40N6S2 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification FGH40N60SMD FGH40N6S2
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 600 V 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 80 A 75 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 120 A 180 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.5V @ 15V, 40A 2.7V @ 15V, 20A
Power - Max 349 W 290 W
Switching Energy 870µJ (on), 260µJ (off) 115µJ (on), 195µJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 119 nC 35 nC
Td(on / off) @ 25°C 12ns/92ns 8ns/35ns
Test Condition 400V, 40A, 6Ohm, 15V 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
IGBT Type Field Stop -
Reverse Recovery Time (trr) 36 ns -
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