FGA40T65SHD vs FGA40N65SMD

Cette comparaison détaillée des composants FGA40T65SHD et FGA40N65SMD vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FGA40T65SHD

Semi - conducteurs

Lifecycle: Active
Stock: 5595 PCS
Package: TO-3PN
Series: Transistor - IGBT - simple

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Part B

FGA40N65SMD

Semi - conducteurs

Lifecycle: Active
Stock: 4225 PCS
Package: TO-3PN
Series: Transistor - IGBT - simple

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Full specification comparison

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Specification	FGA40T65SHD	FGA40N65SMD
Part Status	Active	Active
IGBT Type	Trench Field Stop	Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	650 V	650 V
Current - Collector(Ic)(Max)	80 A	80 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	120 A	120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	2.1V @ 15V, 40A	2.5V @ 15V, 40A
Power - Max	268 W	349 W
Switching Energy	1.01mJ (on), 297µJ (off)	820µJ (on), 260µJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	72.2 nC	119 nC
Td(on / off) @ 25°C	19.2ns/65.6ns	12ns/92ns
Test Condition	400V, 40A, 6Ohm, 15V	400V, 40A, 6Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	31.8 ns	42 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

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