FDV301N vs FDV302P
Cette comparaison détaillée des composants FDV302P et FDV301N vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
SOT23-3
Description
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Part Status
Obsolete
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Base Product Number
FDV30
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FET Type
P-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120mA (Ta)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 4.5V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10Ohm @ 200mA, 4.5V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.31 nC @ 4.5 V
-
Vgs (Max)
-8V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
11 pF @ 10 V
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Power Dissipation (Max)
350mW (Ta)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Tape & Reel (TR)
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ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
25 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
220mA (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
2.7V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
-
1.06V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
0.7 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
-
±8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
9.5 pF @ 10 V
PowerDissipation(Max)
-
350mW (Ta)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
