FDS8958A vs FDS8960C
Cette comparaison détaillée des composants FDS8958A et FDS8960C vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SOIC-8
Description
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
DUAL N & P-CHANNEL POWERTRENCH M
Supplier
-
Rochester Electronics, LLC
ProductStatus
Active
Active
Series
PowerTrench®
-
FETType
N and P-Channel
-
FETFeature
Logic Level Gate
-
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30V
-
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
7A, 5A
-
RdsOn(Max)@IdVgs
28mOhm @ 7A, 10V
-
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
-
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
16nC @ 10V
-
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
575pF @ 15V
-
Power-Max
900mW
-
MountingType
Surface Mount
-
