FDS8949 vs FDS8984-F085 Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants FDS8949 et FDS8984-F085 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SOIC-8
Description
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 30V
Supplier
-
Rochester Electronics, LLC
Part Status
Active
Active
Series
PowerTrench®
-
FET Type
2 N-Channel (Dual)
-
FET Feature
Logic Level Gate
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
-
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
6A
-
Rds On(Max) @ Id Vgs
29mOhm @ 6A, 10V
-
Vgs(th)(Max) @ Id
3V @ 250µA
-
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
11nC @ 5V
-
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
955pF @ 20V
-
Power - Max
2W
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-