FDMS86500L vs FDMS8018
Cette comparaison détaillée des composants FDMS8018 et FDMS86500L vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
PowerTDFN-8
Description
MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
MOSFET N-CH 60V 25A/80A 8PQFN
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
Part Status
Active
-
Base Product Number
FDMS80
-
FET Type
N-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Ta), 120A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 30A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 10 V
-
Vgs (Max)
±20V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5235 pF @ 15 V
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
25A (Ta), 80A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
2.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
165 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
12530 pF @ 30 V
PowerDissipation(Max)
-
2.5W (Ta), 104W (Tc)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
