FDMS86163P vs FDMS86500DC

Cette comparaison détaillée des composants FDMS86163P et FDMS86500DC vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
FDMS86163P

+Nomenclature

5272 PCS | Semi - conducteurs
FDMS86500DC

+Nomenclature

6738 PCS | Semi - conducteurs
Package TDFN-8 TDFN-8
Description MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN N-CHANNEL DUAL COOLTM 56 POWER T
Series PowerTrench® Dual Cool™, PowerTrench®
ProductStatus Active Active
FETType P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V 60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 7.9A (Ta), 50A (Tc) 29A (Ta), 108A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 6V, 10V 8V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 22mOhm @ 7.9A, 10V 2.3mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 59 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±25V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 4085 pF @ 50 V 7680 pF @ 30 V
PowerDissipation(Max) 2.5W (Ta), 104W (Tc) 3.2W (Ta), 125W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : FDMS86163P FDMS86500DC

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