FDMS8018 vs FDMS8050ET30 Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants FDMS8018 et FDMS8050ET30 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
TDFN-8
Description
MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
Part Status
Active
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
-
55A (Ta), 423A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
-
4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
-
0.65mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
-
3V @ 750µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
-
285 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
-
22610 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
3.3W (Ta), 180W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Base Product Number
FDMS80
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Ta), 120A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 30A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 10 V
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Vgs (Max)
±20V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5235 pF @ 15 V
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Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
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