FDMS3660S vs FDMS3669S
Cette comparaison détaillée des composants FDMS3669S et FDMS3660S vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
PowerTDFN-8
PowerTDFN-8
Description
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
Active
Active
FETType
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FETFeature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30V
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
13A, 18A
30A, 60A
RdsOn(Max)@IdVgs
10mOhm @ 13A, 10V
8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
2.7V @ 250µA
2.7V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
24nC @ 10V
29nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1605pF @ 15V
1765pF @ 15V
Power-Max
1W
1W
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
