FDG6322C vs FDG6303N_G

Cette comparaison détaillée des composants FDG6322C et FDG6303N_G vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification FDG6322C FDG6303N_G
Supplier onsemi onsemi
Part Status Active Obsolete
FET Type N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V 25V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 220mA, 410mA 500mA
Rds On(Max) @ Id Vgs 4Ohm @ 220mA, 4.5V 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V 2.3nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 9.5pF @ 10V 50pF @ 10V
Power - Max 300mW 300mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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