FDD86102 vs FDD86110
Cette comparaison détaillée des composants FDD86110 et FDD86102 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
TO-252-3
TO-252-3
Description
MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK
MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
100 V
100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
12.5A (Ta), 50A (Tc)
8A (Ta), 36A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
6V, 10V
6V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
10.2mOhm @ 12.5A, 10V
24mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
35 nC @ 10 V
19 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
2265 pF @ 50 V
1035 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max)
3.1W (Ta), 127W (Tc)
3.1W (Ta), 62W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
