FDC6312P vs FDC638P
Cette comparaison détaillée des composants FDC638P et FDC6312P vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
SSOT-6
Description
MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
Part Status
Active
-
Base Product Number
FDC638
-
FET Type
P-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
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Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.5A (Ta)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
48mOhm @ 4.5A, 4.5V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
-
Vgs (Max)
±8V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1160 pF @ 10 V
-
Power Dissipation (Max)
1.6W (Ta)
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Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
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ProductStatus
-
Active
FETType
-
2 P-Channel (Dual)
FETFeature
-
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
2.3A
RdsOn(Max)@IdVgs
-
115mOhm @ 2.3A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
-
1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
7nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
467pF @ 10V
Power-Max
-
700mW
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
