DTA114YET1G vs DTA114TET1

Cette comparaison détaillée des composants DTA114YET1G et DTA114TET1 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

DTA114YET1G

Semi - conducteurs

Lifecycle
Active
Stock
28687 PCS
Package
SOT-416
Series
Transistor - Transistor de type bipolaire (BJT) - pré - polarisation unique
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Part B

DTA114TET1

Semi - conducteurs

Lifecycle
Active
Stock
9427 PCS
Package
SOT-416
Series
Transistor - Transistor de type bipolaire (BJT) - pré - polarisation unique
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Specification DTA114YET1G DTA114TET1
Supplier onsemi onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Transistor Type PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50 V 50 V
Resistor - Base(R1) 10 kOhms 10 kOhms
Resistor - Emitter Base(R2) 47 kOhms -
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 80 @ 5mA, 10V 160 @ 5mA, 10V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff(Max) 500nA 500nA
Power - Max 200 mW 200 mW
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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