DMG1012T-7 vs DMG1029SV-7

Cette comparaison détaillée des composants DMG1012T-7 et DMG1029SV-7 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification DMG1012T-7 DMG1029SV-7
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N and P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V 60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 630mA (Ta) 500mA, 360mA
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 1.8V, 4.5V -
Rds On(Max) @ Id Vgs 400mOhm @ 600mA, 4.5V 1.7Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 0.74 nC @ 4.5 V 0.3nC @ 4.5V
Vgs(Max) ±6V -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 60.67 pF @ 16 V 30pF @ 25V
Power Dissipation (Max) 280mW (Ta) -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
FET Feature - Logic Level Gate
Power - Max - 450mW
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