CSD18532Q5B vs CSD18511Q5A Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants CSD18511Q5A et CSD18532Q5B vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
TDFN-8
Description
MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Series
NexFET™
NexFET™
Part Status
Active
Active
Base Product Number
CSD18511
-
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
159A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 24A, 4.5V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
2.45V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
-
Vgs (Max)
±20V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5850 pF @ 10 V
-
Power Dissipation (Max)
104W (Tc)
3.2W (Ta), 156W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
-
100A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
-
4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
-
3.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
-
2.2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
-
58 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
-
5070 pF @ 30 V
