CSD18531Q5A vs CSD18503Q5A

Cette comparaison détaillée des composants CSD18503Q5A et CSD18531Q5A vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
CSD18503Q5A

+Nomenclature

6240 PCS | Texas Instruments
CSD18531Q5A

+Nomenclature

6214 PCS | Texas Instruments
Package TDFN-8 TDFN-8
Description MOSFET N-CH 40V 19A/100A 8VSON MOSFET N-CH 60V 19A/100A 8VSON
Series NexFET™ NexFET™
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 40 V 60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 19A (Ta), 100A (Tc) 19A (Ta), 100A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 4.3mOhm @ 22A, 10V 4.6mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.3V @ 250µA 2.3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 32 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 2640 pF @ 20 V 3840 pF @ 30 V
PowerDissipation(Max) 3.1W (Ta), 120W (Tc) 3.1W (Ta), 156W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : CSD18503Q5A CSD18531Q5A

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