CSD18511Q5A vs CSD18510Q5B

Cette comparaison détaillée des composants CSD18511Q5A et CSD18510Q5B vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification CSD18511Q5A CSD18510Q5B
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V 40 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 300A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 0.96mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 2.3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 153 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 11400 pF @ 20 V
Power Dissipation (Max) 104W (Tc) 156W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number CSD18511 -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 159A (Tc) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 24A, 4.5V -
Vgs(th) (Max) @ Id 2.45V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±20V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5850 pF @ 10 V -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
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