BSS131H6327XTSA1 vs BSS138W

Cette comparaison détaillée des composants BSS131H6327XTSA1 et BSS138W vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification BSS131H6327XTSA1 BSS138W
Series SIPMOS® -
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 240 V 50 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 110mA (Ta) 210mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 14Ohm @ 100mA, 10V 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.8V @ 56µA 1.5V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 3.1 nC @ 10 V 1.1 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 77 pF @ 25 V 38 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 360mW (Ta) 340mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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