BC856BLT1G vs BC856BDW1T3

Cette comparaison détaillée des composants BC856BLT1G et BC856BDW1T3 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BC856BLT1G

Semi - conducteurs

Lifecycle: Active
Stock: 5949 PCS
Package: SOT-23-3
Series: Transistor - Transistor de type bipolaire (BJT) - simple

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Part B

BC856BDW1T3

Semi - conducteurs

Lifecycle: Active
Stock: 5795 PCS
Package: SC-88
Series: Matrice de transistors bipolaires (BJT)

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Full specification comparison

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Specification	BC856BLT1G	BC856BDW1T3
Supplier	-	Rochester Electronics, LLC
Part Status	Active	Obsolete
Transistor Type	PNP	2 PNP (Dual)
Current - Collector(Ic)(Max)	100 mA	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	65 V	65V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	650mV @ 5mA, 100mA	650mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	220 @ 2mA, 5V	220 @ 2mA, 5V
Power - Max	300 mW	380mW
Frequency - Transition	100MHz	100MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Current - Collector Cutoff(Max)	15nA (ICBO)	-

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