BC847CLT1G vs BC847BPDXV6T1

Cette comparaison détaillée des composants BC847CLT1G et BC847BPDXV6T1 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification BC847CLT1G BC847BPDXV6T1
Supplier - onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Transistor Type NPN NPN, PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 45 V 45V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 600mV @ 5mA, 100mA 600mV @ 5mA, 100mA, 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 420 @ 2mA, 5V 200 @ 2mA, 5V
Power - Max 300 mW 500mW
Frequency - Transition 100MHz 100MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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