BC847CDW1T1G vs BC847BPNHF

Cette comparaison détaillée des composants BC847CDW1T1G et BC847BPNHF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification BC847CDW1T1G BC847BPNHF
Supplier onsemi Nexperia USA Inc.
Part Status Active Obsolete
Transistor Type 2 NPN (Dual) NPN, PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 100mA 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 45V 45V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 600mV @ 5mA, 100mA 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 420 @ 2mA, 5V 200 @ 2mA, 5V
Power - Max 380mW 270mW
Frequency - Transition 100MHz 100MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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